B40C1000G-E4/51
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | B40C1000G-E4/51 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 65V 1A WOG |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.61 |
10+ | $0.533 |
100+ | $0.409 |
500+ | $0.3233 |
1000+ | $0.2586 |
2000+ | $0.2516 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 65 V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | WOG |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-Circular, WOG |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 65 V |
Strom - Richt (Io) | 1 A |
Grundproduktnummer | B40 |
B40C1000G-E4/51 Einzelheiten PDF [English] | B40C1000G-E4/51 PDF - EN.pdf |
CONN HEADER VERT 40POS 2.5MM
1PH BRIDGE 19X10X3.5 80V 2.3A
1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 5A
CONN HEADER VERT 40POS 2MM
1BRect, 80V, 7A
DIODE BRIDGE 1A 65V WOG
DIODE BRIDGE 0.9A 65V DIP
CONN HEADER VERT 40POS 2MM
1PH BRIDGE 19X10X3.5 80V 2.3A
DIODE BRIDGE 1.5A 65V WOG
CONN HEADER VERT 40POS 2.5MM
BRIDGE RECT 1PHASE 65V 1.5A WOG
BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA DFM
CONN HEADER VERT 40POS 2.5MM
1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 3.7A
VISHAY DIP-8
IGBT Modules
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() B40C1000G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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